При поддержке Центра Инженерно-Технических Решений мы разместили в данном разделе статьи, в которых освещаются различные аспекты использования предлагаемой нами продукции.

Мы не только представляем продукцию различных производителей электронных компонентов, - мы стараемся обеспечить наших клиентов максимальной информационной и технической поддержкой, подобрать для них оптимальное решение. Во многих случаях мы используем заказные компоненты, разработанные специально для решения задач конкретного заказчика. Такой подход требует хороших инженерных знаний, тщательной проработки решения, а также активного взаимодействия с производителем и позволяет эффективно решать поставленные задачи. Мы стараемся предоставить наиболее полную информацию о тех продуктах, которые предлагаем. Для этого мы разместили в данном разделе статьи, в которых освещаются различные аспекты использования представляемой нами продукции. Надеемся, Вы найдете их содержание полезным.


Альтернатива использованию СВЧ монолитных интегральных схем при изготовлении приемопередающих модулей ФАР

СВЧ электроника   №3 2017

alternative_to_mmic_in_par.pdf (1,31 Мб)
В статье рассматриваются экономические и технические преимущества использования полностью согласованного стандартного 50‑Ом транзистора по сравнению с использованием монолитных СВЧ интегральных схем в приемопередающих модулях, предназначенных для РЛС с фазированной антенной решеткой. Также в статье представлены значения импеданса относительно затвора и стока кристалла транзистора. Было показано, что несмотря на малую резистивную часть входного импеданса, которая составляет всего около 1 Ом, имеется возможность создать транзистор, полностью согласованный на 50 Ом в полосе частот 400 МГц, с центральной рабочей частотой 3,3 ГГц и возвратными потерями по входу, не превышающими 12 дБ.




Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах

СВЧ электроника   №1 2016

kw_level_gan_transistor_usage.pdf (1,26 Мб)
В статье рассматриваются некоторые особенности работы мощных СВЧ GaN-транзисторов в режиме AB в составе систем авионики и радарных применениях. При использовании подобных транзисторов в режиме АВ усредненный КПД усилителя на 5–10% ниже, чем КПД во время прохождения импульса. Более того, работа в этом режиме порождает существенный дробовой шум в отсутствие импульса, что в свою очередь может привести к десенсибилизации приемника. Специально разработанные цепи подачи напряжения смещения и управления питанием усилительного каскада позволяют устранить эти недостатки и добиться снижения выходного шума усилителя в отсутствии импульса. В статье приводится реализация подобных цепей и сравниваются параметры работы усилителя при наличии и отсутствии данных цепей. Также приводится практическая реализация мощного усилительного субмодуля (паллеты) S‑диапазона с интегрированными цепями управления питанием и напряжением смещения.




GaN-транзистор Integra Technologies с выходной мощностью 1 кВт для радарных применений S‑диапазона.

Компоненты и технологии   №1 2014

1kw_integra_radar_sband_gan.pdf (380 Кб)
В статье рассматриваются особенности применения и конструкция нитрид - галлиевого (GaN) транзистора с выходной мощностью 1 кВт, предназначенного для использования в радарах S‑диапазона. На данный момент это один из самых мощных приборов, работающих в этом частотном диапазоне. Создание подобного транзистора является существенным шагом вперед, поскольку его рабочие характеристики значительно превосходят достигнутые ранее у других транзисторов сходного назначения.




Новое поколение кварцевых ГУН с ультранизким уровнем фазовых шумов от Synergy Microwave Research

Компоненты и технологии   №7 2012

new_low_noise_vcxo_synergy.pdf (120 Кб)
В данном материале приводится обзорная информация о новом поколении кварцевых ГУН с ультранизким уровнем фазовых шумов, производства Synergy Microwave Research GmbH (Германия).




Особенности использования золота и алюминия в мощных СВЧ-транзисторах, работающих в импульсном режиме

Компоненты и технологии   №5 2010

gold_vs_aluminium_in_transistors.pdf (423 Кб)
Данная статья освещает особенности использования золота и алюминия в структуре кристаллов и элементах конструкции мощных СВЧ транзисторов, работающих в импульсном режиме. В статье рассматриваются различные аспекты надежности работы транзисторов в зависимости от используемых в их конструкции металлов.




Эволюция технологии радарных систем S - диапазона: уменьшение общей стоимости за счет увеличения степени интеграции. Пример Integra Technologies

Компоненты и технологии   №12 2009

integra_sband_prod_evolution.pdf (404 Кб)
В данной статье рассмотрены различные подходы, позволяющие увеличить степень интеграции при построении современных радарных систем на примере отдельно взятого производителя СВЧ-компонентов. При этом показана эволюция предлагаемых решений в зависимости от требований рынка. Освещаются особенности применения дискретных биполярных и LDMOS - транзисторов, паллет и миниатюризированных усилителей мощности.




Создание высокоэффективных СВЧ усилителей Ka и Х диапазонов

Компоненты и технологии   №10 2008

hi_eff_ka_x_band_amp.pdf (418 Кб)
В данной статье рассматриваются некоторые подходы и методики, используемые компанией Mimix Broadband при создании высокоэффективных СВЧ-ИМС для усилителей Ka и Х диапазонов. Для иллюстрации оптимального подхода к созданию подобных усилителей приводятся ключевые факторы, влияющие на эффективность их работы, а также рассматриваются некоторые компромиссные решения, позволяющие достичь желаемых результатов.




Эффективное использование наборов конденсаторов на диэлектрических стержнях для настройки СВЧ устройств

Компоненты и технологии   №4 2008

eff_use_cap_tuning_sticks.pdf (878 Кб)
В данной статье рассматриваются различные аспекты применения широко распространенных многослойных керамических конденсаторов, в частности, особенности применения конденсаторов с большими размерами контактных областей (обладающих значительной собственной индуктивностью). Также в статье приводятся методы определения резонансных эффектов в рабочем диапазоне частот и способы устранения подобных нежелательных эффектов за счет применения более миниатюрных и дешевых конденсаторов с низкими потерями. Теоретические обоснования проиллюстрированы практическими примерами.




Технология мощных СВЧ LDMOS - транзисторов для радарных передатчиков L - диапазона и авиационных применений

Компоненты и технологии   №10 2007

l_band_airborne_radar_ldmos.pdf (119 Кб)
Постоянно улучшающиеся характеристики СВЧ LDMOS-транзисторов, разрабатываемых с учетом требований рынка устройств беспроводной связи, позволяют в настоящее время использовать их в авиационных и импульсных радарных применениях, где традиционно применяются мощные кремниевые биполярные транзисторы. В статье описывается СВЧ LDMOS-транзистор для импульсных применений с плотностью мощности более 1 Вт/мм и пиковым напряжением 85В.




Разработка многокаскадных усилителей класса C для импульсных радарных применений

Современная электроника   №1 2007

class_c_amp_for_radar_app.pdf (155 Кб)
В статье описана методика создания полупроводникового усилителя для радарных применений. Особое внимание уделяется разработке активных цепей усилителя и определению характеристик всех его компонентов. Кратко освещены проблемы каскадирования и объединения мощности параллельных цепочек усиления. В качестве примера в статье приводится гипотетический многокаскадный СВЧ - усилитель мощности S – диапазона.




Особенности применения и критерии выбора конденсаторов и резисторов для работы в цепях ВЧ / СВЧ

Компоненты и технологии   №5 2005

specifics_of_rc_comps_in_hf_networks.pdf (253 Кб)
Любой специалист, хотя бы немного знакомый со схемотехникой, знает, что проектирование схем, работающих в области высоких и сверхвысоких частот, сильно отличается от разработки обычных низкочастотных цепей. При работе на высоких частотах приходится учитывать гораздо больше параметров элементов схемы, чем при работе на низких частотах. В связи с этим подбор и применение таких, в общем-то несложных, электронных компонентов, как резистор и конденсатор, имеет свою специфику.




ВЧ и СВЧ компоненты компании SYNERGY. Генераторы управляемые напряжением и синтезаторы частоты

Компоненты и технологии   №4 2005

synergy_vco_synt_products.pdf (168 Кб)
Ни для кого не секрет, что на рынке ВЧ/СВЧ компонентов представлено великое множество сходных по функциональному назначению решений. Как правило, данные решения незначительно отличаются по своим характеристикам, поскольку каждый из производителей старается представить прибор, не уступающий аналогам конкурентов. В связи с этим, выбор того или иного решения пределяется лишь его доступностью и предпочтениями разработчика. Однако у многих производителей существуют отдельные компоненты и серии, значительно отличающиеся от подобных им на рынке. Именно о таких компонентах и пойдет речь в данной статье.




Пассивные ВЧ и СВЧ компоненты American Technical Ceramics

Компоненты и технологии   №6 2003

atc_passive_hf_components.pdf (126 Кб)
В настоящее время на рынке представлено большое количество различных пассивных ВЧ- и СВЧ-компонентов (конденсаторов, резисторов, индуктивностей и т. д.). Однако немногие производители могут предложить компоненты, которые характеризуются высокой надежностью, стабильностью параметров и широким диапазоном рабочих температур. Одним из таких производителей является компаня American Technical Ceramics (ATC), продукцию которой мы рассмотрим в данной статье.




Продукция Honeywell SSEC для беспроводной передачи данных

Компоненты и технологии   №2 2003

honeywell_ssec_wireless_prod.pdf (279 Кб)
Многие слышали о фирме Honeywell. Как правило, при упоминании этой компании сразу вспоминают, что она производит электронную продукцию для аэрокосмической промышленности, всевозможные датчики, а также интеллектуальные системы контроля и управления для умного дома. но немногие знают, что Honeywell (точнее одно из ее подразделений - Honeywell Solid State Electronics Center) производит еще и высококачественные ВЧ/СВЧ-компоненты. Именно об этой продукции и пойдет речь в статье.




Некоторые особенности выбора DC-DC конверторов, характеристики DC-DC конверторов компании C&D Technologies

Компоненты и технологии   №8 2002

cnd_technologies_dc_dc_converters.pdf (149 Кб)
Данный материал освещает ряд проблем, с которыми может столкнуться рядовой разработчик при выборе DC-DC преобразователей. При этом особенное внимание обращается на особености указания характеристик конвертеров различными производителями. Приводятся параметры различных DC-DC конвертеров и источников питания, производства C&D Technologies.




Новые возможности “старого” USB или USB On-the-Go

Компоненты и технологии   №3 2002

philips_usb_otg_review.pdf (165 Кб)
В данном материале кратко описывается стандарт USB (Universal Serial Bus - Универсальная последовательная шина). Также рассматривается расширение данного стандарта т.н. USB OTG (On-the-Go) позволяющее различным устройствам обмениваться данными без участия хост-контроллера. Помимо этого приводятся характеристики некоторых USB - решений от Philips Semiconductors.




Мощные LDMOS - транзисторы: преимущества и области применения

Компоненты и технологии   №2 2002

philips_ldmos_transistors.pdf (166 Кб)
В данной статье описываются преимущества использования LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) усилителей на примере использования подобных приборов от Philips Semiconductor в мощных авиационных транспондерах. Если сравнивать устройства, выполненные по технологии LDMOS, с устройствами, выполненными по биполярной технологии, по таким важным характеристикам, как усиление, линейность, тепловые режимы, переключающие свойства, число элементов схемы, сразу становится очевидным преимущество первых.




«Голубой зуб» bluetooth от Philips

Компоненты и технологии   №7 2001

philips_bluetooth_solutions.pdf (394 Кб)
В статье рассматривается технология Bluetooth, приводится ее описание и история развития. Также показывается ее реализация от компании Philips Semiconductor (на момент написания статьи). Основное внимание уделяется наборам микросхем данного производителя для построения различных Bluetooth - устройств, а также средствам разработки.